Память DDR4 HPE SmartMemory обеспечивает полосу пропускания до 3200 МТ/с (зависит от установленной модели процессора), что на 14 % больше по сравнению с памятью DDR3. К тому же, регистровые модули памяти (RDIMM) в демонстрируют более высокий уровень производительности при напряжении 1.2В, что позволяет сократить энергопотребление до 35 % по сравнению с модулями DIMM DDR3-1866, работающими от напряжения 1.5 В.
Модули памяти с пониженной нагрузкой (LRDIMM) уменьшают электрическую нагрузку на контроллер памяти, что позволяет использовать память большего объема в конфигурации с тремя модулями на канал. Технология HP Advanced Memory Error Detection (расширенные функции защиты памяти) позволяет обнаруживать дефекты в ячейках памяти, которые либо приводят к существенному снижению производительности, либо существенно повышают вероятность возникновения неисправимой (невосстановимой) ошибки памяти. За счет более эффективного предсказания событий памяти данная технология позволяет предотвратить ненужные замены модулей памяти и увеличивает время бесперебойной работы серверов.